退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結構，采用纖維結構，節(jié)電60%。

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　　真空退火爐具有良好的密封性能，適用于高濃度氣氛保護實驗和真空高溫實驗。爐口設計有水冷裝置，配有帶閥門的雙頭進風口、防護罩、氣體流量計、硅膠管、帶閥門的單頭出風口、防護罩和真空壓力表。使用時，應將用戶自己的低溫罐中的冷液連接至冷卻裝置（當使用溫度不高時，也可采用水冷方式）。在大氣保護實驗過程中，可直接引入氮氣、氫氣等下落氣體，以防止高溫加熱工件的氧化和脫碳。
     用于高溫燒結、淬火等熱處理工藝中的氣體保護。如果需要高純度工藝，應配備真空泵，先抽取爐內(nèi)空氣，然后填充惰性氣體，也可根據(jù)需要增加一定壓力，以確保惰性氣體的高純度；進行真空高溫試驗時，必須在加熱前抽真空。